سیگنال کالا با توجه به نیاز موجود به اطلاعات دقیق و به روز در حوزه الکترونیک و همچنین در جهت گسترش دانش و امکان به کارگیری آن در این حوزه، اقدام به جمعآوری مقالات معتبری در این زمینه کرده است. مقالات مذکور،جهت سهولت دسترسی به اطلاعات دست اول و افزایش نوآوری و سهولت در استفاده از ابزار الکترونیکی برای مخاطبان ، توسط سیگنال کالا ترجمه شده و در اختیار عموم قرار گرفته است.
در مقاله زیر که در مورد ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده یا همان IGBT است، موارد زیر مورد بررسی قرار گرفته اند:
- ترانزیستور IGBT چیست؟
- ساختار IGBT
- مشخصات IGBT
- مشخصه I-V ایستای IGBT
- مشخصات انتقال IGBT
- مشخصات کلیدزنی IGBT
- مزایای IGBT
- معایب IGBT
ترانزیستور IGBT چیست؟
IGBT دستگاه نسبتا جدیدی در الکترونیک قدرت است و قبل از ظهور IGBT، بیشتر از ماسفتهای قدرت و BJT قدرت در کاربردهای الکترونیک قدرت استفاده میشد. هر دو دستگاه مزایا و معایب خاص خود را دارند. از یک طرف، شاهد عملکرد بد کلیدزنی، امپدانس ورودی پایین، و شکست ثانویه در BJT قدرت کنترل شده با جریان هستیم و از طرف دیگر مشخصات هدایت بسیار خوب آن را داریم. بهطور مشابه، مشخصات کلیدزنی بسیار خوب، امپدانس ورودی بالا را در ماسفتهای قدرت میبینیم که از طرفی مشخصات هدایت بد و دیود پارازیتی مشکلدار در درجهبندیها بالا را هم دارد. هرچند ماهیت تک قطبی ماسفتهای قدرت به زمانهای کلیدزنی پایین منجر میشود اما مقاومت بالای حالت روشن را هم به ازای اقزایش ولتاژ بهدنبال دارد.
به همین دلیل، لازم بود تا چنین دستگاهی وجود داشته باشد که از مزایای هر دو دستگاه ماسفت قدرت و BJT قدرت برخوردار باشد که این امر با معرفی IGBT حول و حوش سالهای ۱۹۸۰ محقق شد که بهخاطر مشخصات بسیار خوب خود در بین مهندسان برق الکترونیک قدرت رایج شد. IGBT به ترتیب از مشخصات ورودی ماسفت قدرت و مشخصات خروجی BJT قدرت بهره میبرد و بههمین دلیل نماد آن ترکیبی از این دو دستگاه هستند که برای ساخت IGBT بکار برده میشوند. سه ترمینال IGBT عبارتند از گیت، کلکتور و امیتر. در شکل زیر نماد IGBT نمایش داده شده است.
IGBT اسامی دیگری هم دارد از جمله ترانزیستور اکسید فلزی با گیت عایق شده (MOSIGT)، ترانزیستور اثر میدانی با بهره مدوله شده (GEMFET)، ترانزیستور اثر میدانی با هدایت مدوله شده (COMFET) و ترانزیستور با گیت عایق شده (IGT).
ساختار IGBT
ساختار IGBT شباهت بسیار زیادی به ماسفت قدرت دارد بجز یکی از لایهها تحت عنوان لایهی تزریق یعنی P+ که برخلاف سوبسترهی n+ در ماسفت قدرت است. این لایهی تزریق دلیل اصلی مشخصات برتر IGBT است. لایههای دیگر تحت عنوان دریفت و منطقه بدنه شناخته میشوند. دو اتصال با J1 و J2 نمایش داده میشوند. در شکل زیر ساختار IGBT با n کانال نمایش داده شده است.
با مشاهدهی دقیق این ساختار، مشخص میشود که یک ماسفت n-کانالی و دو BJT-Q1 و Q2 مطابق شکل وجود دارد. Q1 p+n-p IGBT است و Q2 n-pn+BJT است. Rd مقاومتی است که توسط ناحیهی دریفت بوجود میآید و Rb مقاومت مطرح شده توسط ناحیهی بدنه p است. مشاهده میشود که کلکتور Q1 همانند بیس Q2و کلکتور Q2 همانند بیس Q1 است. در نتیجه، میتوان مدار معادل IGBT را بهصورت شکل زیر بهدست آورد.
دو ترانزیستور که بهصورت پشت به پشت به هم متصل شدهاند یک تریستور پارازیتی مطابق شکل فوق تشکیل میدهند.
IGBT به شکل n-کانال زمانی روشن میشود که کلکتور در پتانسیل مثبت نسبت به امیتر و گیت و همچنین پتانسیل مثبت (>Vget) نسبت به امیتر قرار دارد. این وضعیت به تشکیل لایهی معکوس درست در زیر گیت منجر میشود و به تشکیل کانال منتهی میشود و جریان شروع به حرکت از کلکتور به امیتر میشود.
جریان کلکتور Ic در IGBT از دو بخش Ie و Ih تشکیل میشود. Ie جریان ناشی از الکترونهای تزریقی است که از کلکتور به امیتر و به واسطهی لایهی تزریقی، لایهی دریفت و نهایتا کانال تشکیل شده جریان دارد. Ih جریان حفره است که از طریق Q1 و مقاومت بدنه Rb از کلکتور به امبتر جریان دارد. در نتیجه هرچند Ih تقریبا قابل اغماض است و نتیجتا Ic~Ie.
رخداد خاصی که در IGBT مشاهده میشود تحت عنوان چفت IGBT است. این پدیده زمانی اتفاق میافتد که جریان کلکتور از یک مقدار آستانه (ICE) فراتر میرود. در این حالت، تریستور پارازیتی چفت میشود و ترمینال گیت کنترل خود روی جریان کلکتور را از دست میدهد و IGBT نمیتواند خاموش شود حتی اگر پتانسیل گیت به پایینتر از VGET افت کند. برای خاموش کردن IGBT، نیاز به مدار کموتاسیون معمولی همانند کموتاسیون اجباری تریستورهای داریم. اگر این دستگاه به سرعت ممکن خاموش نشود، ممکن است آسیب ببیند.
مشخصات IGBT
مشخصه I-V ایستای IGBT
شکل زیر مشخصهی i-v ایستای یک IGBT با n کانال را همراه با دیاگرام برداری با پارامترهای مشخص شده نشان میدهد.
این گراف مشابه BJT است است با این تفاوت که پارامتر برای شکل VGE ثابت نگهداشته میشود زیرا IGBT دستگاه کنترل شده با ولتاز است برخلاف BJT که دستگاه کنترل شده با جریان است. زمانیکه دستگاه در حالت خاموش قرار دارد (VCE مثبت است و VGE<VGET) ولتاژ معکوس توسط J2 مسدود میشود و هرگاه بایاس معکوس شود یعنی VCE منفی باشد J1 ولتاژ را مسدود میکند.
مشخصات انتقال IGBT
در شکل زیر مشخصه انتقال IGBT نشان داده شده است که دقیقا همانند ماسفت قدرت است. IGBT تنها بعد از اینکه VGE بزرگتر از مقدار آستانه VGET باشد به حالت روشن در میآید.
مشخصات کلیدزنی IGBT
در شکل زیر مشخصه معمول کلیدزنی IGBT نشان داده شده است.
زمان روشن شدن ton از دو مولفه معمول تشکیل میشود: زمان تاخیر (tdn) و زمان خیز (tr). زمان تاخیر تحت عنوان مدت زمانی تعریف میشود که در آن جریان کلکتور از جریان نشتی ICE به 0.1 IC (جریان نهایی کلکتور) افزایش مییابد و ولتاژ کلکتور امیتر از VCE به 0.9VCE افت پیدا میکند. زمان خیز تحت عنوان مدت زمانی تعریف میشود که در آن جریان کلکتور از 0.1 IC به IC افزایش مییابد و ولتاژ کلکتور امیتر از 0.9VCE به 0.1VCE افت پیدا میکند.
زمان خاموشی toff از سه مولفه تشکیل میشود: زمان تاخیر (tdf) و زمان افت اولیه (tf1) و زمان افت نهایی (tf2). زمان تاخیر تحت عنوان مدت زمانی تعریف میشود که در آن جریان کلکتور از IC به 0.9 IC افت کند و VCE شروع به افزایش کند. زمان افت اولیه برابر با مدت زمانی است که در طی آن جریان کلکتور از 0.9IC به 0.2IC افت پیدا میکند و ولتاژ امیتر کلکتور به 0.1VCE افت پیدا میکند. زمان افت نهایی برابر است با مدت زمانی که در آن جریان کلکتور از 0.2 IC به 0.1IC افزایش مییابد و ولتاژ کلکتور امیتر از 0.1VCE به مقدار نهایی VCE افزایش یابد.
مزایای IGBT عبارتند از:
- الزامات پایین فعالسازی گیت
- تلفات پایین کلیدزنی
- الزامات مدار اسنابر کم
- امپدانس ورودی بالا
- دستگاه کنترل شده با ولتاژ
- ضریب دمای مقاومت در حالت روشن بودن مثبت بوده و کمتر از ماسفت قدرت است و در نتیجه افت ولتاژ در حالت روشن بودن و تلفات توان کم است
- هدایت افزایش یافته بهخاطر ماهیت دو قطبی
- ناحیهی کار ایمن بهتر
معایب IGBT عبارتند از:
- هزینه
- مساله چفت
- مدت زمان بالای خاموش در مقایسه با ماسفت قدرت
منبع:
https://www.electrical4u.com/insulated-gate-bipolar-transistor-igbt/