IGBTها دستگاه‌های نیمه هادی چهار لایه و دارای سه پایانه‌ی الکتریکی و در اصل ترکیبی از ترانزیستور برقی MOS و تریستور هستند. این ترکیب موجب شده که دستگاه IGBT برتری‌های هر دو دستگاه MOS و تریستور، یعنی بازده بالا و سوئیچینگ سریع، را با هم داشته باشد. این دستگاه‌ها به گونه‌ای طراحی شده‌اند تا بتوان از آن‌ها با ولتاژ بالا استفاده کرد، چرا که در مقایسه با ماسفتی که اندازه‌ی قالب مشابهی دارد، به میزان بسیار کمتری RDS نیاز است تا IGBT را آماده کرد.