تعداد نتایج :
23 مورد
اطلاعات قطعه | قیمت محصول | تولیدکننده | نوع ترانزیستور | نوع کانال | شیوهی نصب | حداقل دمای عملیاتی | حداکثر دمای عملیاتی | نوع قطعه | پکیج / کیس | حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) | حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) | حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) | حداکثر جریان کلکتور(Ic) | حداکثر جریان درین (Id) | بهره | شارژ کل گیت (Qg) | سري IGBT | ولتاژ كلكتور اميتر | ولتاژ اشباع كلكتور اميتر | جريان كلكتور (Ic) DC | حداکثر اتلاف توان (Pd) | نوع بسته بندی | حداکثر توان مصرفی | زمان صعود (tr) | ولتاژ گيت اميتر | تعداد بستهبندی کارخانه | زمان افت | حداکثر دمای محل پیوند (Tj) | مقاومت درین-سورس Rds | عرض | طول | ارتفاع | وزن |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
30,000 تومان | Sanyo | BJT | NPN | Through Hole | -40 °C | 150 °C | Transistor | TO-3PB | -160 V | -140 V | 16 V | -12 A | |||||||||||||||||||||
75,000 تومان | Ruichips | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | -55 °C | 175 °C | Transistor | TO-247 | 290 A | 80 nC | 80 nC | ||||||||||||||||||||||
100,000 تومان | onsemi | IGBT | N-Channel | Throught Hole | Transistor | TO-247 | 310 nC | 310 nC | Trench | 600 V | 1.2 V | 100 A | 223 W | Tube | |||||||||||||||||||
116,000 تومان | Toshiba | BJT | PNP-NPN | Throught Hole | Transistor | TO-3PL | 230 V | 15 A | Tube | 150 W | |||||||||||||||||||||||
100,000 تومان | Fairchild | IGBT | N-Channel | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | TO-264 | 275 nC | 275 nC | IGBT Transistors | 1000 V | 2.9 V | 60 A | 180 W | Tube | 320 nS | 25 V | 30 | 130 Ns | |||||||||||||
55,000 تومان | STMicroelectronics | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | TO-247-3 | 20 A | 73 nC | 73 nC | 140 W | Tube | 22 nS | 1000 | 50 ns | 150 °C | 0.165 ohm | 5.15 mm | 15.75 mm | 20.15 mm | ||||||||||||
50,500 تومان | Vishay Siliconix | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | Transistor | TO-247-3 | 20 A | 120 nC | 120 nC | 280 W | Tube | 77 nS | 500 | 150 °C | 0.27 ohm | 5.31 mm | 15.87 mm | 20.82 mm | 0.211644 oz | ||||||||||||||
45,000 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | DIP | -55 °C | 150 °C | Transistor | TO-247 | 110 A | 170 nC | 170 nC | 200 W | Tube | 100 nS | 175 °C | 0.008 ohm | 5.3 mm | 15.9 mm | 20.3 mm | 0.211644 oz | |||||||||||||
20,000 تومان | Sanyo | BJT | PNP | Throught Hole | -40 °C | 150 °C | Transistor | TO-3P | -160 V | -140 V | -6 V | -12 A | 100 W | ||||||||||||||||||||
45,000 تومان | Toshiba | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | TO-3P | 9 A | 60 nC | 60 nC | 150 W | 25 nS | 150 °C | 1.3 ohm |
مقاله ای در این دسته پیدا نشد دسته ای دیگر انتخاب نمایید.
ترانزیستورها قطعات نیمه هادی هستند که با گذر تقریبا 70 سال از زمان اختراع شان دنیا را متحول کرده اند و تقریبا در تمام وسایل الکترونیکی از آن ها استفاده می شود. از این قطعات برای تقویت و یا سوئیچ سیگنال ها و توان الکتریکی استفاده می شود. در واقع ترانزیستورها کاربردهای بسیاری مانند تقویت، قطع و وصل سیگنال و حتی تولید سیگنال های تناوبی دارند، برای مثال در مدارهای منطقی به عنوان سوئیچ، در منابع تغذیه جهت تنظیم ولتاژ و تامین جریان سایر قطعات استفاده می شوند. ترانزیستورهای تقویت کننده نیز به عنوان فیلتر افزایش قدرت سیگنال های ضعیف استفاده می شود.
بیشتـر بخوانید