تعداد نتایج :
14 مورد
اطلاعات قطعه | قیمت محصول | تولیدکننده | نوع ترانزیستور | نوع کانال | شیوهی نصب | حداکثر توان مصرفی | حداکثر جریان درین (Id) | حداکثر دمای محل پیوند (Tj) | زمان صعود (tr) | نوع قطعه | مقاومت درین-سورس Rds | پکیج / کیس | وزن | طول | ارتفاع | بهره | تعداد بستهبندی کارخانه | حداقل دمای عملیاتی | حداکثر دمای عملیاتی | حداکثر اتلاف توان (Pd) | شارژ کل گیت (Qg) | نوع بسته بندی | عرض |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
21,500 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 156 W | 11 A | 150 °C | 15 nS | Transistor | 0.45 ohm | TO-220 | ||||||||||||
21,500 تومان | Fairchild | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 157 W | Transistor | TO-220-3 | 0.068784 oz | 10 mm | 15.65 mm | |||||||||||||
105,000 تومان | Fuji Electric | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 23 A | 150 °C | 13 nS | Transistor | 0.245 ohm | TO-247AD | 0.068784 oz | 93 nC | 30 | -55 °C | 175 °C | 315 W | 93 nC | Tube | |||||
48,000 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 110A | Transistor | 8 mohms | TO-220-3 | 0.068784 oz | 10 mm | 15.65 mm | 1000 | -55 °C | 175 °C | 150 W | Tube | 4.4 mm |
مقاله ای در این دسته پیدا نشد دسته ای دیگر انتخاب نمایید.
(Metl-Oxide Semiconductor field Effect Transistor) MOSFET یا ترانزیستور اثرمیدانیِ نیم رسانا اکسید-فلز در واقع معروف ترین ترانزیستور اثرمیدان در مدارهای الکترونیکی آنالوگ و دیجیتال است. به این ترانزیستورها، تک قطبی نیز می گویند. از این قطعه برای ساخت مدارهای مجتمع استفاده می شود و در مقایسه با مدارهای مجتمع بر پایه ترانزیستورهای دوقطبی مدارهایی بسیار ریزتر و ساده تر می توان با این قطعات ساخت. چرا که مدارهای آن ها بدون نیاز به مقاومت، دیود و دیگر قطعات الکترونیکی ساخته می شود.
بیشتـر بخوانید