تعداد نتایج :
23 مورد
اطلاعات قطعه | قیمت محصول | تولیدکننده | نوع ترانزیستور | نوع کانال | شیوهی نصب | حداکثر جریان درین (Id) | حداکثر دمای محل پیوند (Tj) | زمان صعود (tr) | بهره | حداقل دمای عملیاتی | حداکثر دمای عملیاتی | وزن | نوع قطعه | حداکثر اتلاف توان (Pd) | مقاومت درین-سورس Rds | شارژ کل گیت (Qg) | عرض | طول | ارتفاع | پکیج / کیس | نوع بسته بندی | زمان افت | حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) | حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) | حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) | حداکثر جریان کلکتور(Ic) | حداکثر جریان بیس (Ib) | تعداد بستهبندی کارخانه | ولتاژ آفست ورودی - Vos | حداکثر ولتاژ تغذیه | حداقل ولتاژ تغذیه | حداکثر توان مصرفی | سري IGBT | ولتاژ كلكتور اميتر | ولتاژ اشباع كلكتور اميتر | ولتاژ گيت اميتر | جريان كلكتور (Ic) DC | اورجینال |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
42,500 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 50 A | 175 °C | 60 ns | 234 nC | -55 °C | 175 °C | 0.211644 oz | Transistor | 300 W | 0.04 ohm | 234 nC | 5.31 mm | 15.87 mm | 20.82 mm | TO-247-3 | Tube | ||||||||||||||||||
42,500 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 30 A | 175 °C | 43 nS | 123 nC | -55 °C | 150 °C | 5.55 g | Transistor | 214 W | 0.075 ohm | 123 nC | 5.3 mm | 15.9 mm | 20.3 mm | TO-247-3 | Tube | ||||||||||||||||||
41,500 تومان | Toshiba | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 5 A | 40 nS | -55 °C | 150 °C | 0.068784 oz | Transistor | 45 W | 2.5 ohm | 4.45 mm | 10.16 mm | 15.1 mm | TO-220-3 | Reel | 60 ns | ||||||||||||||||||||
18,500 تومان | STMicroelectronics | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 5.2 A | 150 °C | 12 nS | 40 nC | Transistor | 30 W | 1.8 Ohm | 40 nC | TO220 | |||||||||||||||||||||||||
30,000 تومان | SavantIC | BJT | NPN | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | 80 W | TO-3P | 120 V | 120 V | 5 V | 8 A | 0.8 A | ||||||||||||||||||||||||
30,000 تومان | SavantIC | BJT | PNP | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | 80 W | TO-3P | 120 V | 120 V | 5 V | 8 A | 0.8 A | ||||||||||||||||||||||||
20,000 تومان | onsemi | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 9.5 A | 69 nS | 44 nC | -55 °C | 150 °C | 0.068784 oz | Transistor | 50 W | 730 mOhms | 44 nC | 4.6 mm | 10.67 mm | 16.3 mm | TO-220-3 | 77 nS | 1000 | ± 20 mV | 18 V | 6 V | |||||||||||||||
21,500 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 11 A | 150 °C | 15 nS | Transistor | 0.45 ohm | TO-220 | 156 W | |||||||||||||||||||||||||||
21,500 تومان | Fairchild | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 0.068784 oz | Transistor | 10 mm | 15.65 mm | TO-220-3 | 157 W | ||||||||||||||||||||||||||||
FGH40N60SMD
شمارهی سیگنالکالا:
3358
شماره قطعه:
FGH40N60SMD
لورم ایپسوم متن ساختگی با تولید سادگی نامفهوم از صنعت چاپ، و با استفاده از طراحان گرافیک است، چاپگرها و |
140,000 تومان | onsemi | IGBT | Through Hole | -55 °C | 150 °C | 0.225401 oz | Transistor | 349 W | TO-247 | Tube | 30 | IGBT Transistors | 601 V | 1.9 V | 20 V | 80 A | بله |
مقاله ای در این دسته پیدا نشد دسته ای دیگر انتخاب نمایید.
ترانزیستورها قطعات نیمه هادی هستند که با گذر تقریبا 70 سال از زمان اختراع شان دنیا را متحول کرده اند و تقریبا در تمام وسایل الکترونیکی از آن ها استفاده می شود. از این قطعات برای تقویت و یا سوئیچ سیگنال ها و توان الکتریکی استفاده می شود. در واقع ترانزیستورها کاربردهای بسیاری مانند تقویت، قطع و وصل سیگنال و حتی تولید سیگنال های تناوبی دارند، برای مثال در مدارهای منطقی به عنوان سوئیچ، در منابع تغذیه جهت تنظیم ولتاژ و تامین جریان سایر قطعات استفاده می شوند. ترانزیستورهای تقویت کننده نیز به عنوان فیلتر افزایش قدرت سیگنال های ضعیف استفاده می شود.
بیشتـر بخوانید