دیود چیست؟

دیود چیست؟

همچنین، انواع مختلفی از ساختارهای ماسفت همانند MOS دیفیوز عمودی (VDMOS) یا MOS دیفویز دوگانه (DMOS)، UMOS یا MOS-شیاری، VMOS و غیره وجود دارد. شکل ۱ مد VDMOS دارای n-سوبستره را نشان می­دهد که از n سوبستره و یک لایه ­ی n-همبافته تشکیل شده است که در آن p و n+ ناحیه با استفاده از فرآیند دیفیوژن دوگانه تعبیه شده است.

انواع دیود

در اینجا، هرگاه ولتاژ گیت به سورس مثبت شود، کانال در یک ناحیه ­ی-p تشکیل می­‌شود. مهم­‌تر از همه، در اینجا ترمینال سورس (S) بر روی ترمینال درین (D) قرار داده شده است که ساختار عمودی تشکیل می­ دهد. در نتیجه، در VDMOS، جریان از زیر ناحیه­‌ی گیت و به صورت عمودی بین ترمینال­‌های سورس و درین از طریق چند سورس n+ با هدایت موازی جریان می ­یابد. در نتیجه، مقاومت به وجود آمده توسط دستگاه در حالت روشن بودن RDS(ON) بسیار کم­تر از آن برای ماسفت­‌های عادی است که آن ­ها را برای کنترل جریان‌های بالا فعال می‌کند. این مقاومت دستگاه به ازای افزایش جریان به اندازه­‌ی ۶٪ (شکل ۲ الف) دو برابر می­ شود. به بیان دیگر، RDS(ON) به شدت تحت تاثیر دمای اتصال TJ (شکل ۲ ب) قرار می ­گیرد و ماهیت مثبتی دارد.

تست دیود

مشابه این مورد می­‌توانیم حتی ماسفت قدرت p-سوبستره داشته باشیم به شرطی که مواد نوع n را با نوع p جایگزین کنیم و سپس پلاریته­‌های ولتاژ اعمالی را معکوس کنیم. با این­ حال، آن‌ها در مقایسه با دستگاه‌های n-سوبستره دارای RDS(ON) بزرگ­تری هستند چرا که بجای الکترون­‌ها از حفره‌ها به عنوان حامل‌های بار اکثریت بهره می‌برند. با این­ حال، ترجیح داده می‌شود که از آن‌ها به عنوان کانورترهای باک استفاده شود.

کاربرد دیود

در اینجا، هرگاه ولتاژ گیت به سورس مثبت شود، کانال در یک ناحیه ­ی-p تشکیل می­‌شود. مهم­‌تر از همه، در اینجا ترمینال سورس (S) بر روی ترمینال درین (D) قرار داده شده است که ساختار عمودی تشکیل می­ دهد. در نتیجه، در VDMOS، جریان از زیر ناحیه­‌ی گیت و به صورت عمودی بین ترمینال­‌های سورس و درین از طریق چند سورس n+ با هدایت موازی جریان می ­یابد. در نتیجه، مقاومت به وجود آمده توسط دستگاه در حالت روشن بودن RDS(ON) بسیار کم­تر از آن برای ماسفت­‌های عادی است که آن ­ها را برای کنترل جریان‌های بالا فعال می‌کند. این مقاومت دستگاه به ازای افزایش جریان به اندازه­‌ی ۶٪ (شکل ۲ الف) دو برابر می­ شود. به بیان دیگر، RDS(ON) به شدت تحت تاثیر دمای اتصال TJ (شکل ۲ ب) قرار می ­گیرد و ماهیت مثبتی دارد.

ساخت دیود

مشابه این مورد می­‌توانیم حتی ماسفت قدرت p-سوبستره داشته باشیم به شرطی که مواد نوع n را با نوع p جایگزین کنیم و سپس پلاریته­‌های ولتاژ اعمالی را معکوس کنیم. با این­ حال، آن‌ها در مقایسه با دستگاه‌های n-سوبستره دارای RDS(ON) بزرگ­تری هستند چرا که بجای الکترون­‌ها از حفره‌ها به عنوان حامل‌های بار اکثریت بهره می‌برند. با این­ حال، ترجیح داده می‌شود که از آن‌ها به عنوان کانورترهای باک استفاده شود.