تعداد نتایج :
41 مورد
اطلاعات قطعه | قیمت محصول | تولیدکننده | نوع ترانزیستور | نوع کانال | شیوهی نصب | حداکثر جریان درین (Id) | حداکثر دمای محل پیوند (Tj) | زمان صعود (tr) | بهره | حداقل دمای عملیاتی | حداکثر دمای عملیاتی | وزن | نوع قطعه | حداکثر اتلاف توان (Pd) | مقاومت درین-سورس Rds | شارژ کل گیت (Qg) | عرض | طول | ارتفاع | پکیج / کیس | نوع بسته بندی | حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) | حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) | حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) | حداکثر جریان کلکتور(Ic) | زمان افت | حداکثر توان مصرفی | ولتاژ تغذیه عملیاتی | سری | ولتاژ راه اندازی | فرکانس سوئیچینگ | حداکثر جریان بیس (Ib) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
45,000 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | DIP | 110 A | 175 °C | 100 nS | 170 nC | -55 °C | 150 °C | 0.211644 oz | Transistor | 200 W | 0.008 ohm | 170 nC | 5.3 mm | 15.9 mm | 20.3 mm | TO-247 | Tube | ||||||||||||
20,000 تومان | Sanyo | BJT | PNP | Throught Hole | -40 °C | 150 °C | Transistor | 100 W | TO-3P | -160 V | -140 V | -6 V | -12 A | |||||||||||||||||||
45,000 تومان | Toshiba | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 9 A | 150 °C | 25 nS | 60 nC | -55 °C | 150 °C | Transistor | 150 W | 1.3 ohm | 60 nC | TO-3P | |||||||||||||||||
42,500 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 50 A | 175 °C | 60 ns | 234 nC | -55 °C | 175 °C | 0.211644 oz | Transistor | 300 W | 0.04 ohm | 234 nC | 5.31 mm | 15.87 mm | 20.82 mm | TO-247-3 | Tube | ||||||||||||
42,500 تومان | Infineon | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 30 A | 175 °C | 43 nS | 123 nC | -55 °C | 150 °C | 5.55 g | Transistor | 214 W | 0.075 ohm | 123 nC | 5.3 mm | 15.9 mm | 20.3 mm | TO-247-3 | Tube | ||||||||||||
41,500 تومان | Toshiba | MOSFET | N-Channel | Through Hole | 5 A | 40 nS | -55 °C | 150 °C | 0.068784 oz | Transistor | 45 W | 2.5 ohm | 4.45 mm | 10.16 mm | 15.1 mm | TO-220-3 | Reel | 60 ns | ||||||||||||||
22,500 تومان | STMicroelectronics | Surface Mount | -40 °C | 150 °C | IC | 3.90 mm | 8-SOIC | 8-SOIC | 7 W | 8V ~ 38V | VIPER™ | 14.5 V | 60 KHz | |||||||||||||||||||
18,500 تومان | STMicroelectronics | MOSFET | N-Channel | Throught Hole | 5.2 A | 150 °C | 12 nS | 40 nC | Transistor | 30 W | 1.8 Ohm | 40 nC | TO220 | |||||||||||||||||||
30,000 تومان | SavantIC | BJT | NPN | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | 80 W | TO-3P | 120 V | 120 V | 5 V | 8 A | 0.8 A | ||||||||||||||||||
30,000 تومان | SavantIC | BJT | PNP | Throught Hole | -55 °C | 150 °C | Transistor | 80 W | TO-3P | 120 V | 120 V | 5 V | 8 A | 0.8 A |
مقاله ای در این دسته پیدا نشد دسته ای دیگر انتخاب نمایید.
قطعات الکترونیکی پایه، قطعاتی هستند که معمولاً به صورت مجزا با دو یا چند سیم اتصال یا پد فلزی بستهبندی میشوند. این قطعات معمولاً از طریق لحیم کردن به برد مدار چاپی (PCB) به یکدیگر متصل میشوند تا یک مدار الکترونیکی با عملکرد خاصی تولید کنند. برخی از قطعات اصلی الکترونیکی عبارتند از: مقاومت، خازن، ترانزیستور، دیود، تقویت کننده عملیاتی، آیسی و ...
بیشتـر بخوانیدزیرمجموعهها
ماژول(1)